Имеются три фотосенсора: фототранзистор, фоторезистор и фотодиод. Хочу обнаружить, который из вышеперечисленных является наиболее чувствительным к изменению освещенности. Но существует небольшая проблемка не знаю, как рассчитать номинал нагрузочного резистора так, чтобы выжать максимум из каждого элемента. Вообще имеются ли конкретные формулы? Если да то можно ли ссылки? Прикладываю к посту ссылки на даташиты элементов, а также саму схему. Надеюсь на скорую помощь.

http://eu.mouser.com/ProductDeta...0WqTbBrTsDusckxs

http://www.colorado.edu/physics/...3_photodiode.pdf

http://www.token.com.tw/pdf/resi...resistor-pgm.pdf

Хотелось бы знать, чем собираетесь освещать испытуемые элементы? Предусматривается ли подсветка, какой она будет (прямой - элементы смотрят в верх или отраженной - элементы обращены вниз)?

Подсветка будет прямой, к посту прикладываю картинку, которая прояснит ситуацию.
И все-таки, как можно выжать максимум из каждого фотоэлемента, я конечно понимаю, что можно подобрать резисторы, но если был бы более научный метод подобрать их номиналы.

Примечательно, то что в сети есть инфа мол фототранзисторы в 100 раз чувствительней фотодиодов, но основываясь на моих данных можно сделать обратные выводы. Это график зависимости выходного напряжения от освещенности, только в отличи от верхней схемы нагрузочные резисторы были порядка 220 ом. Ну что ребят есть мысли?

А не пробовал фотодиод полярностью поменять и номинал резистора увеличить до 100 кОм? Интересный эффект получится...